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産品介紹
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産品介紹
铌靶材是一種用于物理研究和半導體制造等領域的重要材料。
産品特點
高熔點：铌具有較高的熔點，約爲2477°C，因此铌靶材具有出色的耐高溫性能。
良好的化學穩定性：铌具有良好的化學穩定性，在常溫下不易與其他元素發生反應，因此铌靶材在使用過程中不易氧化或腐蝕。
高密度：铌具有較高的密度，約爲8.57克/立方厘米，因此铌靶材具有較高的質量吸收能力。
應用領域
物理研究：铌靶材常用于物理研究領域，如核物理實驗、粒子加速器、等離子體物理等，用于産生高能量的離子束或電子束。
半導體制造：在半導體制造工藝中，铌靶材常用于物理氣相沈積（PVD）或磁控濺射（sputtering）等過程中，用于沈積或鍍覆薄膜，制備電子器件、光學器件或塗層材料。
制備方法
粉末冶金法：铌粉末經過壓制、燒結等工藝制備成塊狀或片狀的铌靶材。
熔煉法：铌可以通過真空熔煉或等離子弧熔煉等方法制備成塊狀或片狀的铌靶材。
特殊合金
有時，爲了改善靶材的特性，铌靶材可能會添加其他元素，如鉻（Cr）、钛（Ti）等，以調節材料的性能和應用範圍。
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